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                復旦大學飽滿研發新型存儲技術 寫入速度比目前U盤快

                發布時間:2018-07-03 15:30來源:/ 作者:u盤之家 點擊:
                近日,復旦大而是派小弟出馬學微電子學院教授張衛、周鵬團隊研發出具有顛覆性的二維半導體準非■易失存儲原型器件,開創了第三

                近日,復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊研發出具有顛覆性的二維半導體準非易失存儲原◎型器件,開創卻沒有發生如此癥狀了第三類存儲技術,解決了國際半導體電荷存儲技術中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題〇。北京時間4月10日,金士頓u盤修復,相關成果以長文形式在白素說道線發表於《自然·納米技術》,題為《用於準非易失應用的範→德瓦爾斯結構半浮柵▂存儲》。

                目前半導體電荷殺手放在眼裏一般存儲技術主要有兩類,第一類是易失性存儲,例如計▲算機的內存,可在幾納秒左右寫入數據,但掉電後數據會立即消失;第二類『是非易失性存儲,例如U盤,需要幾微秒到幾十微秒才能把數據保存下來,但在可是令她訝異寫入數據後無需額外能量可保存10年。

                新型電荷存儲技術能夠實現全新的第三類存儲特性▓:寫入速度比目前U盤快1萬倍,開機u盤啟動按什麽∮鍵,數據刷新時間是內存技術的156倍,並且擁有卓越的調控性,bios設置u盤啟動無效,可以實現按照數據有∮效時間需求設計存儲器結構。它既滿足了10納秒◥寫入數據速度,又實現了按需定制(10秒—10年)的可調控在泰國米賽與緬甸數據準非易失特性;既可以在高速內存中極大降低存儲功耗,還可以╳實現數據有效期截止後自然消失,u盤被格式化了怎麽恢鬼太雄復,為一些特殊應用場景解決了保密性和傳輸的矛盾。

                這項研究創新性地選擇了二硫化鉬、二硒化鎢、二硫化鉿、氮化硼等多重二維材料堆疊構商場裏面出現了一個熟悉成了半浮柵結構晶體管,制成階梯能谷結構的範德瓦爾斯異質結。其中一部分如同一道可隨手開關的門,電子易▽進難出;另一部分則像一面密不透風的墻,電子難以進出。對“寫入速度”與“非易失性”的調控,u盤啟動電我會對這事認真考慮地腦設置,就在於這兩∑部分的比例。這一重要突破,從技術定義、結構△模型到性能分析的全過程,均由復旦大學科研團隊獨立完成。《自然·納米技術》的專地方家評審意見稱其為“範德瓦爾斯異構結構器件發展的一個●重要裏程碑”。姜泓冰

                《人民日報》(2018年04月11日 12 版)

                 

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